[发明专利]一种功率半导体器件结构及其封装方法在审
| 申请号： | 201910942830.9 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110828395A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 邱宇峰;吴军民;杜玉杰;张雷;李金元;任慧鹏 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L25/07;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率半导体器件结构及其封装方法，结构包括集电极钼板、至少一个芯片组件、栅极组件和塑封介质；至少一个芯片组件和栅极组件分别固定在集电极钼板上，塑封介质通过塑封工艺将至少一个芯片组件和栅极组件进行包覆，每个芯片组件包括功率半导体器件，不仅可靠性高，且能够满足芯片并联压力均衡的一致性要求；本发明通过塑封工艺将芯片组件和栅极组件包覆在塑封介质中，不仅改善了功率半导体器件保护的可靠性和绝缘性，且解决了高压绝缘配合和功率半导体器件保护的问题，避免了零部件位置发生偏移或零部件之前出现微缝隙，保证了器件的一致性，满足高压半导体芯片的封装需求；提高了功率半导体器件的长期可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 结构 及其 封装 方法 | ||
【主权项】：
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