[发明专利]静电保护电路在审
| 申请号： | 201910942975.9 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112582392A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 雷玮;李宏伟;程惠娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种静电保护电路，包括：多个电压域电路，每个所述电压域电路包括地电平总线；电源隔离单元电路，位于相邻的所述电压域电路之间，所述电源隔离单元电路包括响应电路，所述响应电路包括连接相邻的所述地电平总线的CMOS传输门电路，所述CMOS传输门电路用于提供相邻的所述地电平总线之间的双向通路。CMOS传输门电路由一个PMOS晶体管和一个NMOS晶体管并联构成，CMOS传输门电路具有很低的导通电阻，CMOS传输门电路的响应速度快，且CMOS传输门电路不会产生电位差，因此，在ESD瞬态时，所述响应电路能够及时降低相邻的地电平总线上的电位差，易于使相邻的所述地电平总线之间实现等电位连接，从而提升跨区域ESD电流的泄放能力，进而提高静电保护电路的静电防护性能。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 保护 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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