[发明专利]一种p-GaN欧姆接触电极及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910943269.6 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110828557A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 王玮;王宏兴;张明辉;问峰;林芳;陈根强 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/28;H01L31/0224;H01L33/40;H01S5/042 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 孟大帅 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种p‑GaN欧姆接触电极及其制备方法和应用，包括：p‑GaN材料层，所述p‑GaN材料层形成有重掺杂p‑GaN层；所述重掺杂p‑GaN层上形成有底层接触金属层，所述底层接触金属层上形成有上层盖帽金属层；其中，重掺杂p‑GaN层中，Mg掺杂浓度≥1×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 gan 欧姆 接触 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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