[发明专利]一种增强型GaNHEMT集成结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种增强型GaNHEMT集成结构及其制备方法，包括：衬底；HEMT集成结构还包括形成于衬底上的AlN成核层、形成于AlN成核层上的GaN缓冲层、形成于GaN缓冲层上的AlN插入层、形成于AlN插入层上的AlxGa1‑xN势垒层、形成于AlxGa1‑xN势垒层上的GaN盖帽层以及形成于GaN盖帽层上的电子接收层；其中，电子接收层的功函数大于AlxGa1‑xN势垒层的功函数，电子能够从AlxGa1‑xN/GaN界面二维沟道转移至电子接收层。本发明的增强型GaNHEMT集成结构利用电子接收层与势垒层之间的功函数差，产生较宽的空间电荷区，使得电子从GaN/AlGaN异质界面二维电子气流入电子接收层，进而将栅极下方沟道耗尽，获得增强型器件特性。

主权项

1.一种增强型GaNHEMT集成结构，包括：/n衬底(1)；/n其特征在于，所述HEMT集成结构还包括形成于所述衬底(1)上的AlN成核层(2)、形成于所述AlN成核层(2)上的GaN缓冲层(3)、形成于所述GaN缓冲层(3)上的AlN插入层(4)、形成于所述AlN插入层(4)上的Al