[发明专利]高线性度差分双反馈低噪声放大器有效
申请号: | 201910943796.7 | 申请日: | 2019-09-30 |
公开(公告)号: | CN110708021B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 李振荣;刘博宇;李臻;王思敏;朱彪彪;庄奕琪 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F1/32;H03F1/34;H03F3/193;H03F3/45 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 王品华;黎汉华 |
地址: | 710071 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种高线性度差分双反馈低噪声放大器,主要解决现有技术在线性度差的不足。其包括:包括两个源简并电感L1、L2,两个负载电感L5、L6、两个输出串联峰值电感L3、L4、两个偏置电压V1、V2和两类反馈环路S1、S2,第一类反馈环路S1与第二类反馈环路S2彼此交叠,相互作用;通过第一类反馈环路可使环路内的NMOS晶体管的跨导增加近一倍,也可抵消二次谐波分量在线性度上带来的恶化,通过第二类反馈环路的增益与第一类反馈环路增益的叠加,进一步提高了电路整体线性度。本发明结构简单,由于双反馈环路提供了较高的三阶互调失真截止点,无需使用双极型晶体管,改善了电路整体的线性度,可用于射频前端芯片。 | ||
搜索关键词: | 线性 度差分双 反馈 低噪声放大器 | ||
【主权项】:
1.一种高线性度差分双反馈低噪声放大器,包括两个源简并电感(L1,L2)、两个负载电感(L5,L6)、两个输出串联峰值电感(L3,L4)和两个偏置电压(V1,V2),其特征在于:在偏置电压(V1,V2)与源简并电感(L1,L2)之间连接有第一类反馈环路(S1),在串联峰值电感(L3,L4)与信号输入正负极之间连接有第二类反馈环路(S2),这两个反馈环路彼此交叠,相互作用;/n所述第一类反馈环路(S1),包括:两个NMOS管(M1,M2)、两个晶体管体端到源极的电阻(R1,R2),两个反馈电容(C1,C2)、电源正级隔直电容Cp,电源负极隔直电容Cn;第一电阻(R1)连接在第一NMOS管(M1)的源极与体端之间;第二电阻(R2)连接在第二NMOS管(M2)的源极与体端之间;第一反馈电容(C1)的一端与NMOS管(M1)的栅极相连,另一端与NMOS管(M2)的源极相连;第二反馈电容(C2)的一端与NMOS管(M2)的栅极相连,另一端与NMOS管(M1)的源极相连;第一NMOS管(M1)的源极通过电源正级隔直电容Cp与信号输入的正极相连;第二NMOS管(M2)的源极通过电源负极隔直电容Cn与信号输入的负极相连;/n所述第二类反馈环路(S2),包括:两个NMOS管(M1,M2),两个晶体管体端到源极的电阻(R1,R2),两个反馈电容(C3,C4);第一电阻(R1)连接在第一NMOS管(M1)的源极与体端之间;第二电阻(R2)连接在第二NMOS管(M2)的源极与体端之间;第三反馈电容(C3)的一端与第一NMOS管(M1)的漏极相连,另一端与第二NMOS管(M2)的源极相连;第四反馈电容(C4)与第二NMOS管(M2)的漏极相连,另一端与第一NMOS管(M1)的源极相连。/n
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