[发明专利]一种基于VGF法的减少GaAs晶体孪晶的装置在审
| 申请号： | 201910944066.9 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110512274A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 柴晓磊;梁李虎;冯江峰 | 申请（专利权）人： | 山西中科晶电信息材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/42 |
| 代理公司： | 11435 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 申绍中<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 043604 山西省运城*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制备装置技术领域，更具体而言，涉及一种基于VGF法的减少GaAs晶体孪晶的装置，包括PBN坩埚、石英管、加热器，石英管放置在炉芯上，石英管与炉芯之间设置有保温支撑，炉芯内设置有玻璃棒；PBN坩埚与石英管设置在保温装置内，保温装置为下部开口的中空筒状结构，保温装置内壁镶嵌有加热器，通过多组加热器实现对炉芯及坩埚炉、石英管的热辐射加热，多组加热器独立运作，实现不同部位不同温度的加热；通过底部玻璃棒提供热流失通道；在石英管与坩埚之间设置有保温支撑，阻挡石英支撑管散热，均化温场，避免温场倒置，易生长出合格单晶，孪晶率下降至20%，提高晶体生长效率，提高经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 石英管 加热器 炉芯 保温装置 玻璃棒 保温支撑 孪晶 温场 加热 半导体制备装置 中空筒状结构 独立运作 晶体生长 下部开口 倒置 热辐射 热流失 支撑管 坩埚炉 散热 单晶 均化 内壁 石英 坩埚 镶嵌 阻挡 生长 | ||
【主权项】：
1.一种基于VGF法的减少GaAs晶体孪晶的装置，其特征在于：包括PBN坩埚（1）、石英管（2）、加热器（3），所述PBN坩埚（1）设置在石英管（2）内，所述石英管（2）上部设置有石英帽（4），石英管（2）放置在炉芯（5）上，所述石英管（2）与炉芯（5）之间设置有保温支撑（6），炉芯（5）在石英管（2）石英嘴相应位置开设有架设孔，架设孔下部设置有玻璃棒（7）；所述PBN坩埚（1）与石英管（2）设置在保温装置（8）内，所述保温装置（8）为下部开口的中空筒状结构，所述保温装置（8）内壁镶嵌有加热器（3）。/n
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