[发明专利]一种三通硅基分束器芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201910944669.9 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110646883B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 曾和平;冯吉军;吴昕耀 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学重庆研究院;上海朗研光电科技有限公司;上海理工大学;华东师范大学 |
| 主分类号： | G02B6/125 | 分类号： | G02B6/125;G02B6/13 |
| 代理公司： | 重庆华科专利事务所 50123 | 代理人： | 康海燕 |
| 地址： | 401121 重庆市渝北*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开一种三通道硅基分束器芯片，包括一个输入波导、三个输出波导和设置在所述输入波导和所述输出波导之间的耦合区；所述耦合区为正方形；所述输入波导和所述输出波导的宽度相等,所述宽度为K：490nmK510nm；所述耦合区、所述输入波导和所述输出波导的厚度均相等,所述厚度为H：210nmH230nm；所述耦合区的边长长度为L：1600nmL2000nm。本发明的三通道硅基分束器芯片，集成度更高，器件尺寸小，提高了波前重构设备的便携性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三通 硅基分束器 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三通道硅基分束器芯片，其特征是：包括一个输入波导(1)、三个输出波导(2)和设置在所述输入波导(1)和所述输出波导(2)之间的耦合区(3)；所述耦合区(3)为正方形；/n所述输入波导(1)和所述输出波导(2)的宽度相等,所述宽度为K：490nm<K<510nm；所述耦合区(3)、所述输入波导(1)和所述输出波导(2)的厚度均相等,所述厚度为H：210nm<H<230nm；所述耦合区(3)的边长长度为L：1600nm<L<2000nm。/n
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