[发明专利]DRAM阵列版图及DRAM存储器在审
| 申请号： | 201910944762.X | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112582372A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 周震 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种DRAM阵列版图及DRAM存储器。DRAM阵列版图包括平行排列沿第一方向延伸的字线图形，平行排列沿第二方向延伸的位线图形，第一方向与第二方向不平行；第一存储单元接触垫图形和第二存储单元接触垫图形，第一存储单元接触垫图形和第二存储单元接触垫图形分别位于位线图形的两侧，第一存储单元接触垫图形和第二存储单元接触垫图形分别与字线图形具有部分重合区；平行排列沿第三方向延伸的有源区图形，有源区图形的两端分别与第一存储单元接触垫图形和第二存储单元接触垫图形具有部分重合区。本发明提供的DRAM阵列版图设计，在相同存储单元面积下具有更大的字线间距，能更好地适用于下一代存储器制造技术。 | ||
| 搜索关键词： | dram 阵列 版图 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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