[发明专利]紫外光电探测器的制备方法及紫外光电探测器有效
| 申请号： | 201910948825.9 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN110690323B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 侯钧杰;尹顺政 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/107 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 秦敏华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于光探测器技术领域，提供了一种紫外光电探测器的制备方法及紫外光电探测器，该制备方法包括：在预设衬底上依次生长缓冲层、P型欧姆接触层、倍增层、电荷层、吸收层以及N型欧姆接触层；光刻刻蚀倍增层、电荷层、吸收层以及N型欧姆接触层，分别在P型欧姆接触层上、电荷层上以及吸收层上形成台面结构；在P型欧姆接触层以及N型欧姆接触层上分别淀积形成接触电极；在P型欧姆接触层上、电荷层上以及吸收层上形成的台面结构的表面进行钝化膜淀积钝化，并光刻刻蚀接触电极上的钝化膜以露出电极，获得紫外光电探测器。本发明中P型欧姆接触层的接触面积大大增加，可有效减小接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 光电 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：/n在预设衬底上依次生长缓冲层、P型欧姆接触层、倍增层、电荷层、吸收层以及N型欧姆接触层；/n光刻刻蚀所述倍增层、所述电荷层、所述吸收层以及N型欧姆接触层，分别在所述P型欧姆接触层上、所述电荷层上以及所述吸收层上形成台面结构；/n在所述P型欧姆接触层以及所述N型欧姆接触层上分别淀积形成接触电极；/n在所述P型欧姆接触层上、所述电荷层上以及所述吸收层上形成的台面结构的表面进行钝化膜淀积钝化，并光刻刻蚀所述接触电极上的钝化膜以露出电极，获得紫外光电探测器。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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