[发明专利]一种衬底隔离环的版图结构有效
申请号: | 201910948970.7 | 申请日: | 2019-10-08 |
公开(公告)号: | CN111009523B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 李长猛;朱敏 | 申请(专利权)人: | 芯创智(北京)微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人: | 田明;杨方 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经济*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种衬底隔离环的版图结构,版图结构包括:由多个长度相同或不同的N阱隔离环单元首尾相连构成的封闭或不封闭的N阱隔离环和由多个长度相同或不同的P阱隔离环单元首尾相连构成的封闭或不封闭的P阱隔离环。本发明采用的衬底隔离环单元可以重复应用在版图设计中的各个场景,并且完全满足工艺设计规范,提高集成电路版图设计的效率,减轻版图设计人员的压缩产品流片时间的压力。 | ||
搜索关键词: | 一种 衬底 隔离 版图 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的