[发明专利]一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法在审
| 申请号： | 201910949028.2 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN110690104A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 崔文荣 | 申请（专利权）人： | 江苏晟驰微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B1/00;B08B3/12 |
| 代理公司： | 11421 北京天盾知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张彩珍 |
| 地址： | 226600 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法,包括以下步骤：A、将蚀刻后的硅片进行固定；B、采用毛刷将蚀刻后的硅片表面进行清刷；C、使用超声槽振荡去除硅片上残留的氧化膜；D、对清理氧化膜的硅片进行清洗；E、放置到硅片片架的内部，本发明先使用尼龙刷子去除沟槽边缘的氧化膜，再使用超声槽振荡去除残留在沟槽边缘的氧化膜及被刷子刷掉落在沟槽中的氧化膜，有效降低了硅片时刻沟槽边缘氧化膜清理工艺的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化膜 硅片 沟槽边缘 去除 蚀刻 超声槽 振荡 残留 刷子 硅片表面 尼龙刷子 硅腐蚀 再使用 掉落 毛刷 片架 清刷 清洗 改进 | ||
【主权项】：
1.一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法,其特征在于：包括以下步骤：/nA、将蚀刻后的硅片进行固定；/nB、采用毛刷将蚀刻后的硅片表面进行清刷；/nC、使用超声槽振荡去除硅片上残留的氧化膜；/nD、放置到硅片片架内；/nE、对清理氧化膜的硅片进行清洗。/n
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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