[发明专利]一种扩散硼淀积新型石英舟在审
| 申请号： | 201910949036.7 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN110534465A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 崔文荣 | 申请（专利权）人： | 江苏晟驰微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 11421 北京天盾知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张彩珍<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 226600 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种扩散硼淀积新型石英舟,包括石英舟本体，在石英舟本体上设有一级舟槽支架，底部支架，一级石英舟槽，二级石英舟槽，一级石英舟槽与二级石英舟槽上均设有舟槽槽口，舟槽槽口的倾角为88度，当舟槽槽口的入口倾角为88度的时候，有效均衡气流，改善淀积的均匀性，并减少粘舟达到降低碎片的目的，该硼淀积的石英舟舟槽角度进行调整后，工艺气体可以将部分副产物带走，有效提高了均匀性，降低粘片的问题，大大降低了硼扩工艺的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 石英舟 舟槽 槽口 淀积 均匀性 底部支架 工艺气体 入口倾角 新型石英 有效均衡 副产物 粘片 支架 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种扩散硼淀积新型石英舟,包括石英舟本体(1)，其特征在于：所述石英舟本体(1)上设有一级舟槽支架(2)，一级舟槽支架(2)的上方两端对称设有一级石英舟槽(4)，所述一级舟槽支架(2)的底部设有底部支架(3)，底部支架(3)与一级舟槽支架(2)焊接连接，所述底部支架(3)的底部对称设有二级石英舟槽(5)，/n所述一级石英舟槽(4)，二级石英舟槽(5)上均设有舟槽槽口，舟槽槽口的入口倾角为88度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
