[发明专利]一种波导内填充金属栅格阵列型C波段虚阴极振荡器有效
| 申请号： | 201910949951.6 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN110706990B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 张运俭;丁恩燕 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 主分类号： | H01J23/00 | 分类号： | H01J23/00;H01J23/04;H01J23/24;H01J25/02 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 孙杰;蒋仕平 |
| 地址： | 621000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种波导内填充金属栅格阵列型C波段虚阴极振荡器，包括金属圆波导，金属圆波导内一端设置与其同轴的阴极；金属圆波导内沿电子束传输方向依次设置第一金属栅格及金属栅格阵列，金属栅格阵列由多组金属栅格周期性排布组成；第一金属栅格与金属栅格阵列的间距，比第一金属栅格与阴极的间距略大；第一金属栅格与金属栅格阵列的间距为1.65cm,金属栅格阵列中金属栅格的排列周期为辐射微波波长的1/4至1/2；每组金属栅格均由径向间隔排列的11个金属薄片组成；阴极发射电子束在振荡器内传输，辐射产生波长为7.14cm的C波段高功率微波。采用本发明的一种波导内填充金属栅格阵列型C波段虚阴极振荡器，耐冲击，散热较快，适合电子束重频发射。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波导 填充 金属 栅格 阵列 波段 阴极 振荡器 | ||
【主权项】：
1.一种波导内填充金属栅格阵列型C波段虚阴极振荡器，其特征在于：包括金属圆波导，金属圆波导内一端设置与其同轴的阴极；/n所述金属圆波导内沿电子束传输方向依次设置第一金属栅格及金属栅格阵列，所述金属栅格阵列由多组金属栅格周期性排布组成；/n所述第一金属栅格与金属栅格阵列的间距，比第一金属栅格与阴极的间距略大；第一金属栅格与金属栅格阵列的间距为1.65cm,金属栅格阵列中金属栅格的排列周期为辐射微波波长的1/4至1/2；/n所述第一金属栅格与金属栅格阵列中每组金属栅格均由径向间隔排列的11个金属薄片组成，金属薄片轴向长度为1.0cm，厚度为0.1cm；所述金属圆波导直径为7.8cm；/n阴极发射电子束在振荡器内传输，辐射产生波长为7.14cm的C波段高功率微波。/n
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