[发明专利]磁性隧道结结构及磁性随机存储器在审
| 申请号： | 201910950481.5 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN112635651A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 张云森;郭一民;肖荣福;陈峻 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L27/22 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种磁性隧道结结构及磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括多层结构的自由层，两自由子层之间由含掺杂铁磁材质的非磁性金属层形成的铁磁耦合层。本申请通过铁磁耦合层实现两自由子层的铁磁耦合，并协助提升自由层的热稳定性，非常有利制作超小型的MRAM器件。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 结构 随机 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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