[发明专利]一种介质单表面微放电过程中空间电子涨落的解析方法有效
| 申请号： | 201910950630.8 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN110781581B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 申发中;王新波;崔万照;冉立新 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F17/18 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种介质单表面微放电过程中空间电子涨落的解析方法。高能粒子入射到介质表面产生二次电子，根据二次电子发射速度、发射极角和发射方位角的概率密度函数，计算二次电子渡越时间的概率密度函数和二次电子发射转移率；根据二次电子渡越时间的概率密度函数和二次电子发射转移率计算介质表面的二次电子的发射率和入射率，最终再处理得到介质单表面微放电过程中空间电子数目的涨落函数，从而获得空间电子涨落的解析结果。本发明处理与空间电子数目无关，解决了蒙特卡洛方法随着微放电电子数目增加计算量越来越大的困难，结果精确可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介质 表面 放电 过程 空间 电子 涨落 解析 方法 | ||
【主权项】：
1.一种介质单表面微放电过程中空间电子涨落的解析方法，其特征在于方法步骤如下：/n1)高能粒子入射到介质表面产生二次电子，根据二次电子发射速度v
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