[发明专利]磁性隧道结结构及磁性随机存储器在审
| 申请号： | 201910951258.2 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN112635656A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;G11C11/16;H01L27/22 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种磁性隧道结结构及磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括结合参考层反铁磁层功能的复合层结构，在省略晶格转换层以薄化整体膜层结构的同时维持反铁磁层与参考层功能，实现反铁磁层与参考层的晶格转换和强铁磁耦合，降低参考层与反铁磁层的总厚度，同时提升垂直隧穿磁阻比例/结电阻面积积，以优化漏磁场和写电流的调节，有助于磁性存储器在磁学、电学和良率的提升，以及器件的进一步缩微化。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 结构 随机 存储器 | ||
【主权项】：
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