[发明专利]一种有机分子对硅表面钝化效果的预测方法在审
申请号: | 201910951655.X | 申请日: | 2019-10-09 |
公开(公告)号: | CN110648728A | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 郭建新;孟子杰;刘晨旭;蒋佳月;王亚茹;刁艳如;陈剑辉;梁伟华 | 申请(专利权)人: | 河北大学 |
主分类号: | G16C60/00 | 分类号: | G16C60/00 |
代理公司: | 13112 石家庄国域专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 黄慧慧 |
地址: | 071002 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供了一种有机分子对硅表面钝化效果的预测方法,其采用基于密度泛函的第一性原理方法进行预测,包括:建立有机分子与硅表面的吸附模型,计算吸附能,确定有机分子钝化硅表面时的稳定钝化结构;计算稳定钝化结构界面的电子结构属性、电荷转移情况和成键情况;判断硅表面原子的钝化比例和硅表面原子的钝化强度,预测钝化效果。本发明的预测方法可以快速判断钝化结构,还可以用于寻找并设计合适的有机钝化材料,指导实验的合成,节约时间及成本,减少了实验过程的人为因素和环境因素的干扰,可靠性高,重现性好。 | ||
搜索关键词: | 硅表面 钝化结构 有机分子 钝化 预测 吸附 第一性原理 硅表面钝化 电荷转移 电子结构 钝化效果 环境因素 计算稳定 快速判断 人为因素 实验过程 有机钝化 重现性 成键 泛函 合成 节约 | ||
【主权项】:
1.一种有机分子对硅表面钝化效果的预测方法,其特征在于,采用基于密度泛函的第一性原理方法进行预测,包括如下步骤:/n(a)建立有机分子与硅表面的吸附模型,计算吸附能,确定有机分子钝化硅表面时的稳定钝化结构;/n(b)计算稳定钝化结构界面的电子结构属性、电荷转移情况和成键情况;/n(c)根据步骤(a)的结果判断硅表面原子的钝化比例,根据步骤(b)的结果判断硅表面原子的钝化强度,之后预测钝化效果。/n
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