[发明专利]在任意基底上快速生长硫化亚铜纳米片阵列薄膜的方法在审

专利信息
申请号: 201910952055.5 申请日: 2019-10-09
公开(公告)号: CN110699660A 公开(公告)日: 2020-01-17
发明(设计)人: 王明均;谭亮;李晓燕;龚伟志;罗亮;余荣芬;杨玉蓉;张富英;樊善明 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C23C14/58 分类号: C23C14/58;C23C14/35;C23C14/18;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明公开了一种在任意基底上快速生长硫化亚铜纳米片阵列薄膜的方法,属于纳米材料技术领域,该方法首先在密封、水存在条件下利用单质硫和碱金属硫化物通过水热反应制得含多硫离子水溶液,然后将铜基底或镀铜膜的其它任意基底放入含多硫离子水溶液中反应,其中含多硫离子水溶液中多硫离子的摩尔浓度为0.1 mol/L~1 mol/L,反应完成后,采用去离子水冲洗干净,干燥,即在任意基底上制得硫化亚铜纳米片阵列薄膜;本发明硫化亚铜纳米片阵列薄膜可在任意基底上进行制备,大大增加了硫化亚铜纳米片阵列薄膜的应用领域和适用性。
搜索关键词: 纳米片阵列 多硫离子 硫化亚铜 基底 薄膜 碱金属硫化物 纳米材料技术 水存在条件 快速生长 去离子水 水热反应 单质硫 镀铜膜 放入 铜基 制备 冲洗 密封
【主权项】:
1.一种在任意基底上快速生长硫化亚铜纳米片阵列薄膜的方法,其特征在于:首先在密封、水存在条件下利用单质硫和碱金属硫化物通过水热反应制得含多硫离子水溶液,然后将铜基底或镀铜膜的其它任意基底放入含多硫离子水溶液中反应,其中含多硫离子水溶液中多硫离子的摩尔浓度为0.1 mol/L~1 mol/L,反应完成后,采用去离子水冲洗干净,干燥,即在任意基底上制得硫化亚铜纳米片阵列薄膜。/n
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