[发明专利]一种传感器芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201910952655.1 | 申请日： | 2019-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN110745776A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 苏卫国 | 申请（专利权）人： | 无锡必创传感科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 11018 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孟旸;王丽琴 |
| 地址： | 214024 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种传感器芯片的制造方法，包括：对支撑衬底朝向支撑衬底的一侧进行刻蚀形成参考压力腔，并在参考压力腔的中心区域形成支撑结构；将支撑衬底和结构衬底通过介质绝缘层键合在一起；在结构衬底形成弹性敏感膜结构，弹性敏感膜结构与参考压力腔和支撑结构所在区域重叠；从支撑衬底背向结构衬底的表面对所述支撑衬底进行刻蚀，以形成贯通至参考压力腔的引压孔并将支撑结构去除。本发明利用制程中的支撑结构，对所制备的弹性敏感膜结构进行支撑，避免了弹性敏感膜结构的变形，同时，本发明先在支撑衬底朝向结构衬底的一侧形成较浅的参考压力腔并在其侧壁形成刻蚀保护层，防止了参考压力腔尺寸的失控问题，保证了弹性敏感膜的尺寸精度。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 参考压力 敏感膜 支撑结构 支撑 刻蚀 传感器芯片 介质绝缘层 刻蚀保护层 所在区域 中心区域 引压孔 侧壁 键合 去除 制备 制程 变形 贯通 失控 制造 保证 | ||
【主权项】：
1.一种传感器芯片的制造方法，包括：/n提供支撑衬底和结构衬底；/n对所述支撑衬底进行刻蚀形成参考压力腔，并在所述参考压力腔的中心区域形成支撑结构；/n将所述支撑衬底和所述结构衬底通过介质绝缘层键合在一起，其中，所述参考压力腔和所述支撑结构朝向所述结构衬底；/n在所述结构衬底背向所述支撑衬底的一侧形成弹性敏感膜结构，所述弹性敏感膜结构所在的区域与所述参考压力腔和所述支撑结构所在的区域重叠；/n从所述支撑衬底背向所述结构衬底的表面对所述支撑衬底进行刻蚀，以形成贯通至所述参考压力腔的引压孔并将所述支撑结构去除。/n
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