[发明专利]一种基于添加剂工程制备钙钛矿薄膜的方法及其光电应用在审

专利信息
申请号: 201910953119.3 申请日: 2019-09-27
公开(公告)号: CN112582544A 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 张辉;吕宜璠;王金培 申请(专利权)人: 南京工业大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 211816 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一类基于添加剂工程制备钙钛矿薄膜的方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用,包括添加剂材料的种类和钙钛矿薄膜的制备方法。添加剂分子具有的特征在于化学结构中具有相邻双羰基或者三羰基,中间夹杂氨基。基于添加剂工程制备钙钛矿薄膜,可实现低温(<80℃)快速(<10min)退火过程,制备出晶粒大、晶界少的高质量钙钛矿薄膜;钙钛矿薄膜形成后,添加剂可残留在薄膜内部或表面,进一步钝化缺陷态或在表界面处辅助载流子输运,提高载流子收集效率。通过本发明提供的制备方法所获得的高质量钙钛矿薄膜有望在钙钛矿太阳电池、钙钛矿发光二极管、钙钛矿光探测器、钙钛矿激光等光电器件领域获得广泛应用。
搜索关键词: 一种 基于 添加剂 工程 制备 钙钛矿 薄膜 方法 及其 光电 应用
【主权项】:
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