[发明专利]一种基于添加剂工程制备钙钛矿薄膜的方法及其光电应用在审
申请号: | 201910953119.3 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN112582544A | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 张辉;吕宜璠;王金培 | 申请(专利权)人: | 南京工业大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 211816 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一类基于添加剂工程制备钙钛矿薄膜的方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用,包括添加剂材料的种类和钙钛矿薄膜的制备方法。添加剂分子具有的特征在于化学结构中具有相邻双羰基或者三羰基,中间夹杂氨基。基于添加剂工程制备钙钛矿薄膜,可实现低温(<80℃)快速(<10min)退火过程,制备出晶粒大、晶界少的高质量钙钛矿薄膜;钙钛矿薄膜形成后,添加剂可残留在薄膜内部或表面,进一步钝化缺陷态或在表界面处辅助载流子输运,提高载流子收集效率。通过本发明提供的制备方法所获得的高质量钙钛矿薄膜有望在钙钛矿太阳电池、钙钛矿发光二极管、钙钛矿光探测器、钙钛矿激光等光电器件领域获得广泛应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 添加剂 工程 制备 钙钛矿 薄膜 方法 及其 光电 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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