[发明专利]多位可变电阻式存储器单元及其形成方法有效
| 申请号： | 201910953647.9 | 申请日： | 2019-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN112635661B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 杨柏宇 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10N70/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多位可变电阻式存储器单元及其形成方法，其中该多位可变电阻式存储器单元包含多个底电极、多个介电层、一顶电极以及一可变电阻层。底电极以及介电层构成交错堆叠的材料层，各底电极夹置于介电层之间，以及一通孔穿过交错堆叠的材料层。顶电极设置于通孔中。可变电阻层设置于通孔的一侧壁上以及位于顶电极以及交错堆叠的材料层之间，因而顶电极、可变电阻层以及底电极构成一多位可变电阻式存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储器 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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