[发明专利]一种铜柱凸点互连结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910956865.8 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110707069A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 高丽茵;刘志权;孙蓉 | 申请（专利权）人： | 深圳先进电子材料国际创新研究院 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;C25D7/12;C25D5/52;C25D5/02;C25D3/38;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 21002 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于晓波 |
| 地址： | 518103 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种铜柱凸点互连结构及其制备方法，属于微电子和微机电系统封装领域。该铜柱凸点互连结构中的铜柱为柱状晶结构，其上部为纳米孪晶组织，由特定的镀液配方及直流电沉积的工艺方法一次性在晶圆基底上制备获得，并进一步加工为铜柱凸点互连结构。一方面，可以利用铜柱中的纳米孪晶铜湮灭界面柯肯达尔孔洞、调控化合物择优生长等，从而提高铜柱凸点的互连性能和服役可靠性；另一方面，与全纳米孪晶组织的铜柱相比，本发明涉及的铜柱组织可以有效减少镀层生长应力。本发明涉及的直流电镀工艺可以和现有的晶圆级封装技术兼容，使该发明成果更容易实现产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 铜柱 凸点 互连结构 孪晶 制备 孔洞 调控化合物 服役可靠性 晶圆级封装 微机电系统 直流电沉积 柱状晶结构 镀液配方 互连性能 有效减少 直流电镀 产业化 晶圆基 一次性 生长 镀层 微电子 封装 兼容 加工 | ||
【主权项】：
1.一种铜柱凸点互连结构，其特征在于：该铜柱凸点互连结构包括由直流电沉积工艺制备于基底上的铜柱，所述铜柱为柱状晶结构，柱状晶结构的上部为含有高密度孪晶片层的纳米孪晶组织，下部则无纳米孪晶组织，柱状晶的生长方向与基底平面垂直。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳先进电子材料国际创新研究院，未经深圳先进电子材料国际创新研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910956865.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
