[发明专利]一种全纳米孪晶组织结构的铜薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 201910956876.6 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110724981B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 刘志权;高丽茵;孙蓉 | 申请（专利权）人： | 深圳先进电子材料国际创新研究院 |
| 主分类号： | C25D3/38 | 分类号： | C25D3/38;C25D5/50;C25D21/12;C25D7/12;C25D5/54;H01L21/768;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 于晓波 |
| 地址： | 518103 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全纳米孪晶组织结构的铜薄膜材料的制备方法，属于微电子封装技术领域。本发明在电沉积制备出含有纳米孪晶组织的镀层后，使用适当的热处理工艺，利用电沉积过程中产生的镀层内应力将纳米孪晶与基底材料之间的过渡等轴晶层转化为纳米孪晶组织，从而获得从底部到顶部均为纳米孪晶组织的铜薄膜材料。与直接电沉积获得的从底部到顶部全纳米孪晶组织结构的铜薄膜材料不同，本发明无需在严格(111)择优取向的铜种子层上进行电沉积，制备的镀层既保留了纳米孪晶铜良好的机械性能、硬度、导电性能，又降低了制备难度，并且可以广泛适用于微电子行业的各种常见基底材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 组织 结构 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种全纳米孪晶组织结构的铜薄膜材料的制备方法，其特征在于：该方法首先采用电化学沉积方法在基底材料上制备出含有纳米孪晶铜组织的镀层，该镀层中在纳米孪晶铜与基底材料之间存在细晶过渡层；然后将该镀层进行热处理，使等轴晶过渡层转变为纳米孪晶组织，从而获得从镀层底部到顶部均为纳米孪晶组织结构的铜薄膜材料。/n
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