[发明专利]碳化硅晶圆衬底的回收利用方法在审
| 申请号： | 201910957396.1 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112652567A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 彭虎 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅晶圆衬底的回收利用方法。所述回收利用方法包括：提供物体，所述物体包括碳化硅衬底；选择位于所述碳化硅衬底内预设深度处的一个面作为分离界面，所述分离界面将所述碳化硅衬底于厚度方向上划分为第一部分和第二部分；以激光照射所述碳化硅衬底，并使所述激光聚焦于所述分离界面上，从而使所述分离界面处的碳化硅分解，进而使所述碳化硅衬底的第一部分与第二部分彼此分离。本发明实施例提供的方法通过采用激光照射的方式对碳化硅晶圆衬底进行切割，进而实现对碳化硅晶圆衬底的回收，能大幅降低碳化硅基芯片制作的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 回收 利用 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
