[发明专利]一种单光子Si-APD探测器及其制造方法有效
| 申请号： | 201910957824.0 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110676333B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 郭安然;雷仁方;李睿智;高建威;向华兵 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/107;H01L31/18 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 王海军 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种单光子Si‑APD探测器，包括：吸收区、P+接触区、N+接触区、雪崩区、介质层，所述P型衬底表面中部设置吸收区，所述吸收区下方设置P+接触区，所述P+接触区下方设置有下电极；所述吸收区上部的两端位置设置有截止环；所述吸收区的上部的中间位置设置雪崩区，且雪崩区由P型杂质和N型杂质补偿掺杂形成；所述雪崩区之上设置N+接触区；所述雪崩区两侧各设有一个保护环，所述保护环上方设置有上电极；所述N+接触区上方设置介质层。该单光子Si‑APD探测器具有较宽的雪崩区且制造过程引入缺陷很少，可实现高探测效率低暗计数的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光子 si apd 探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单光子Si-APD探测器，包括：P型衬底、吸收区、P
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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