[发明专利]一种升压拓扑负载短路保护电路在审
申请号: | 201910959562.1 | 申请日: | 2019-10-10 |
公开(公告)号: | CN110545030A | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 张义;薛涛 | 申请(专利权)人: | 上海源微电子科技有限公司 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32;H02M3/156 |
代理公司: | 31253 上海精晟知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄佳丽<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 200120 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种升压拓扑负载短路保护电路,包括:负载、取样电阻、取样电阻、保护芯片、MOS管、CS电阻;MOS管的漏极与负载的负极连接;取样电阻的一端连接MOS管的漏极的一端,另一端接保护芯片的FB脚;取样电阻的一端连接保护芯片的FB脚,另一端连接地;保护芯片的驱动脚OUT与MOS管的栅极连接,保护芯片的CS脚与MOS管的栅极连接,保护芯片的HV脚与负载的正极连接;CS电阻的一端接保护芯片的CS脚,另一端接地。其优点在于升压拓扑的负载可以短路保护,短路故障移除后线路可以继续工作。 | ||
搜索关键词: | 保护芯片 取样电阻 一端连接 升压拓扑 栅极连接 电阻 漏极 负载短路保护电路 短路保护 短路故障 负极连接 正极连接 接地 驱动脚 移除 | ||
【主权项】:
1.一种升压拓扑负载短路保护电路,其特征在于:包括,负载215、取样电阻212、取样电阻213、保护芯片214、MOS管216、CS电阻219;/n其中,MOS管216的漏极与负载的负极连接;/n取样电阻212的一端连接MOS管216的漏极的一端,另一端接保护芯片214的FB脚;/n取样电阻213的一端连接保护芯片214的FB脚,另一端连接地;/n保护芯片214的驱动脚OUT与MOS管216的栅极连接,保护芯片214的CS脚与MOS管216的栅极连接,保护芯片214的HV脚与负载215的正极连接;/nCS电阻219的一端接保护芯片的CS脚,另一端接地。/n
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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