[发明专利]一种多晶硅铸锭生长界面的仿真模拟方法在审
| 申请号： | 201910960467.3 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110929436A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 张发云;谢宇;饶森林 | 申请（专利权）人： | 新余学院 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23;G06F30/28;G06F119/14;G06F119/08;G06F111/10 |
| 代理公司： | 北京国坤专利代理事务所(普通合伙) 11491 | 代理人： | 赵红霞 |
| 地址： | 338000 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅铸锭生长界面的仿真模拟方法，利用COMSOL有限元仿真软件对定向凝固过程的进行流场、热场模拟，通过定义材料参数、热源温度等条件，来模拟研究硅熔体的流动分布、流动速度和长晶过程的温度场分布，从得到固液界面形状图。本发明的优点：通过对多晶硅定向凝固过程温度场进行数值模拟，得到了硅熔体的流场分布图，硅熔体的流动行为，对铸造多晶硅工艺有着重要的影响，对定向凝固过程的流场分布的研究，对工艺的改进提供的可靠的理论参考；对晶体的凝固过程进行了数值模拟，得出和长晶过程的温度场分布图，进而得以研究长晶过程的固液界面形状，晶粒生长取向。对研究如何制得良好品质的柱状晶锭，有着重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 铸锭 生长 界面 仿真 模拟 方法 | ||
【主权项】：
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