[发明专利]一种分析铸造多晶硅微观结构的方法在审
| 申请号： | 201910960476.2 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110849875A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 谢宇;张发云;饶森林 | 申请（专利权）人： | 新余学院 |
| 主分类号： | G01N21/84 | 分类号： | G01N21/84;G01N21/88 |
| 代理公司： | 北京国坤专利代理事务所(普通合伙) 11491 | 代理人： | 赵红霞 |
| 地址： | 338000 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种分析铸造多晶硅微观结构的方法，其包括以下步骤，步骤一、将铸造多晶硅通过化学抛光和Secco刻蚀处理；步骤二、在步骤一后用大型金相显微镜进行观测和拍照；步骤三、在步骤二后进行分析。本发明的有益效果为：通过化学抛光和Secco刻蚀的方法，研究了商业多晶硅和自制多晶硅块的微观结构，经抛光后，清楚地观察到晶界、亚晶粒、半晶界和小三角等缺陷；经Secco刻蚀后，位错缺陷凸显出来，主要有密集位错、集中位错、位错排等；经抛光和Secco刻蚀后，观察和发现了各种形式的位错缺陷，通过对多晶硅微观结构的分析，进一步了解多晶硅晶体缺陷的形成机理，也可以为后续多晶硅铸锭工艺的制定和优化打下一定基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分析 铸造 多晶 微观 结构 方法 | ||
【主权项】：
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