[发明专利]磁存储器件在审

专利信息
申请号: 201910960905.6 申请日: 2019-10-11
公开(公告)号: CN111490153A 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 李俊明;金晥均;朴正宪;林佑昶;郑峻昊 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/06;G11C11/16
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜;王占杰
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了一种磁存储器件,其包括:线图案,所述线图案位于衬底上;磁隧道结图案,所述磁隧道结图案位于所述线图案上;以及上导电线,所述上导电线跨越所述磁隧道结图案与所述线图案间隔开,并且连接到所述磁隧道结图案。所述线图案为所述磁隧道结图案提供自旋轨道矩。所述线图案包括拓扑绝缘体。
搜索关键词: 磁存储器
【主权项】:
暂无信息
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