[发明专利]磁存储器件在审
申请号: | 201910960905.6 | 申请日: | 2019-10-11 |
公开(公告)号: | CN111490153A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 李俊明;金晥均;朴正宪;林佑昶;郑峻昊 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/06;G11C11/16 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜;王占杰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种磁存储器件,其包括:线图案,所述线图案位于衬底上;磁隧道结图案,所述磁隧道结图案位于所述线图案上;以及上导电线,所述上导电线跨越所述磁隧道结图案与所述线图案间隔开,并且连接到所述磁隧道结图案。所述线图案为所述磁隧道结图案提供自旋轨道矩。所述线图案包括拓扑绝缘体。 | ||
搜索关键词: | 磁存储器 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910960905.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有结合焊盘的半导体器件
- 下一篇:存储器系统