[发明专利]一种改性三维介孔二氧化硅负载硫化纳米零价铁的合成方法在审
申请号: | 201910962440.8 | 申请日: | 2019-10-11 |
公开(公告)号: | CN110683549A | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 钟强 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | C01B33/12 | 分类号: | C01B33/12;C01B17/24;B01J20/02;B01J20/04;B01J20/10 |
代理公司: | 50219 重庆百润洪知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郝艳平 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及吸附材料技术领域,具体涉及一种改性三维介孔二氧化硅负载硫化纳米零价铁的合成方法,其合成方法包括以下步骤:S1:三维介孔二氧化硅壳的合成;S2:三维介孔二氧化硅负载硫化纳米零价铁的合成。本发明以三维介孔二氧化硅壳为基体材料,将纳米零价铁均匀分散固定在三维介孔二氧化硅壳表面,从而克服纳米零价铁易失活和易团聚的缺点,并且同时具有吸附和脱卤还原的作用,提高复合材料的反应活性;另外,原材料易得且成本低廉,适用范围更广,效果稳定,具有较好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 三维介孔 纳米零价铁 二氧化硅壳 合成 二氧化硅负载 硫化 反应活性 基体材料 吸附材料 效果稳定 复合材料 改性 失活 脱卤 吸附 还原 团聚 应用 | ||
【主权项】:
1.一种改性三维介孔二氧化硅负载硫化纳米零价铁的合成方法,其特征在于,其合成方法包括以下步骤:/nS1:三维介孔二氧化硅壳的合成;/nS2:三维介孔二氧化硅负载硫化纳米零价铁的合成。/n
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