[发明专利]埋入式栅极结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201910964559.9 | 申请日： | 2019-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN112652528B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 汪洁丽 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种埋入式栅极结构及其制作方法。埋入式栅极的制作方法包括：提供具有浅沟槽隔离结构和平行交错设置的多个有源区的半导体衬底；形成并图案化硬掩膜层，形成穿过浅沟槽隔离结构的栅极沟槽图案；以硬掩膜层为掩膜，采用脉冲式偏压功率输出模式对半导体衬底进行刻蚀，形成延伸穿过多个有源区和浅沟槽隔离结构的栅极沟槽，栅极沟槽在多个浅沟槽隔离结构内的深度的差值小于预设值。本发明基于脉冲式偏压功率输出模式形成栅极沟槽时，增大了刻蚀产物的排出时间，以使较窄的浅沟槽隔离结构中的刻蚀产物能够及时排出，进而减小栅极沟槽在多个浅沟槽隔离结构内的深度的差值，进而增大栅极电流。 | ||
| 搜索关键词： | 埋入 栅极 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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