[发明专利]一种GaN单晶衬底的制备方法有效
| 申请号： | 201910965282.1 | 申请日： | 2019-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN110616462B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 刘南柳;姜永京;王琦;徐忱文;张国义 | 申请（专利权）人： | 北京大学东莞光电研究院 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B9/10 |
| 代理公司： | 东莞恒成知识产权代理事务所(普通合伙) 44412 | 代理人： | 邓燕 |
| 地址： | 523808 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料领域，具体涉及一种GaN单晶衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤一：把C/GaN复合衬底与固体的Ga‑Na源材料一起置于高压反应釜的坩埚中，密封高压反应釜，通入高纯氮气，在室温条件下将高压反应釜加压至过渡压力；步骤二：对步骤一中加压至过渡压力的高压反应釜升温并继续加压，加压升温至生长条件，开始GaN单晶生长；步骤三：继续通入高纯氮气，GaN单晶生长达到目标厚度后，从高压反应釜中取出坩埚及晶体，即得GaN单晶衬底，本发明通过在Ga/Na熔体中插入C/GaN复合衬底，在提供GaN籽晶的同时又能提供碳元素，即有利于GaN薄膜的成核与生长，又能有效抑制GaN多晶的产生，从而提高GaN单晶的生长速率与晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN单晶衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一：把C/GaN复合衬底与固体的Ga-Na源材料一起置于高压反应釜的坩埚中，密封高压反应釜，通入高纯氮气，在室温条件下将高压反应釜加压至过渡压力；/n步骤二：对步骤一中加压至过渡压力的高压反应釜升温并继续加压，加压升温至生长条件，开始GaN单晶生长；/n步骤三：继续通入高纯氮气，GaN单晶生长达到目标厚度后，从高压反应釜中取出坩埚及晶体，即得GaN单晶衬底。/n
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