[发明专利]低阻尼大自旋霍尔角的稀土基合金材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201910965484.6 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110724909B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 徐锋;徐展;刘二;唐家轩;张志;张想 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/34;C23C14/35;C22C9/00;C22C28/00;C22C45/00;C23C14/02 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 邹伟红 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种低阻尼大自旋霍尔角的稀土基合金材料及其制备方法，属于自旋电子学新材料技术领域。该材料为铜铽合金薄膜，其组分为Cu |
||
| 搜索关键词： | 阻尼 自旋 霍尔 稀土 合金材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低阻尼大自旋霍尔角的稀土基合金材料，其特征在于，该材料为铜铽合金薄膜，其组分为Cu
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京理工大学，未经南京理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910965484.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种无机物基底表面改性的方法
- 下一篇：一种金纳米线的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
