[发明专利]一种可控硅门极与阳极短接的低正向钳位电压开关二极管在审
| 申请号： | 201910966898.0 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110571279A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 赵德益;苏海伟;吕海凤;王允;赵志方;叶毓明;冯星星;李亚文;吴青青;张利明 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/87;H01L29/06 |
| 代理公司： | 31298 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 衣然 |
| 地址： | 201202 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种可控硅门极与阳极短接的低正向钳位电压开关二极管，包括由衬底材料或衬底材料外延层、N型阱、P型阱、N型重掺杂和P型重掺杂构成的半导体主体，通过适当设计N型阱、P型阱、N型掺杂和P型掺杂的尺寸和间距构成可控硅结构，其特征在于，通过金属连接将控硅结构的门极和阳极短接形成开关二极管。利用门极到阴极的电流为阳极到阴极提供触发电流，形成正反馈，提前使可控硅结构开启，降低可控硅结构的开启电压，获得低正向钳位电压，本发明通过金属连接将控硅结构的门极和阳极短接形成开关二极管，获得低正向钳位电压。 | ||
| 搜索关键词： | 阳极 门极 可控硅结构 正向钳位 短接 阴极 开关二极管 衬底材料 金属连接 硅结构 电压开关二极管 半导体主体 触发电流 开启电压 可控硅 外延层 正反馈 | ||
【主权项】：
1.一种可控硅门极与阳极短接的低正向钳位电压开关二极管，包括由衬底材料或衬底材料外延层、N型阱、P型阱、N型重掺杂和P型重掺杂构成的半导体主体，通过适当设计N型阱、P型阱、N型掺杂和P型掺杂的尺寸和间距构成可控硅结构，其特征在于，通过金属连接将控硅结构的门极和阳极短接形成开关二极管。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海长园维安微电子有限公司，未经上海长园维安微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910966898.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
