[发明专利]一种具有对称结构的高灵敏度垂直型磁场传感器有效
| 申请号： | 201910966994.5 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110736942B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 徐跃;宋福明;袁丰 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/14;G01R33/02 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 范丹丹 |
| 地址： | 210046 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种具有对称结构的高灵敏度垂直型磁场传感器，该磁场传感器包括垂直对称设置的第一垂直型磁场传感器和第二垂直型磁场传感器，第一垂直型磁场传感器和第二垂直型磁场传感器共用第三N+区。该磁场传感器包括硅衬底、绝缘体层、第一P‑区、第二P‑区、第三P‑区、第四P‑区、第一N+区、第二N+区、第三N+区、第四N+区、第五N+区、栅介质层和栅极。该对称结构的垂直型磁场传感器的生产工艺简单，结构完全对称，器件初始失调低，并且可以采用旋转电流技术消除器件的失调，残余失调低。该垂直型磁场传感器的磁场灵敏度高，并且可以组成二维磁场传感器，实现对平行于器件平面的二维磁场进行检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 对称 结构 灵敏度 垂直 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种具有对称结构的高灵敏度垂直型磁场传感器，其特征在于：包括垂直对称设置的第一垂直型磁场传感器和第二垂直型磁场传感器，所述第一垂直型磁场传感器和第二垂直型磁场传感器共用第三N+区(6)。/n
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