[发明专利]一种芯片封装方法及芯片封装结构有效
申请号: | 201910967707.2 | 申请日: | 2019-10-12 |
公开(公告)号: | CN110676372B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 李林萍;盛荆浩;江舟 | 申请(专利权)人: | 杭州见闻录科技有限公司 |
主分类号: | H01L41/047 | 分类号: | H01L41/047;H01L41/25;H01L41/29;H01L41/312 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张雪娇 |
地址: | 310019 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本申请公开了一种芯片封装方法及芯片封装结构,该方法无需在第二晶圆上设置走线或设置连接端子,降低了布线的复杂程度,也使得用于封装的第二晶圆无需采用单晶或高阻抗晶圆,大大降低了封装成本。并且所述第二晶圆作为封装晶圆具有良好的强度和硬度,能够适应很高的注塑压力,使得获得的芯片封装结构有着非常高的可靠性。另外,该方法通过绝缘层上形成的第一金属层和第二晶圆上的第二金属层实现两个晶圆的键合,在可适用于各类滤波器芯片的基础上,具有足够的气密性和连接可靠性,使得获得的芯片封装结构能够满足工业级和车规级的可靠性标准。进一步的,所述芯片封装方法无需TSV制程,无需复杂的光刻和蚀刻工艺以及复杂的走线设计。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 封装 方法 结构 | ||
【主权项】:
1.一种芯片封装方法,其特征在于,包括:/n提供第一晶圆和第二晶圆,所述第一晶圆表面具有多个芯片单元,每个所述芯片单元具有预设电路结构、封装区域以及位于封装区域上的绝缘层;/n在所述绝缘层上形成第一金属层;/n在所述第二晶圆表面形成第二金属层,所述第二金属层的形成区域与所述封装区域相对应;/n在所述第二晶圆中形成多个第一凹槽和多个第二凹槽,一个所述第一凹槽所围的区域与一个所述芯片单元对应,所述第二凹槽形成于所述第一凹槽所围的区域内部,所述第二凹槽的深度小于所述第一凹槽的深度;/n利用所述第一金属层和第二金属层键合所述第一晶圆和第二晶圆;/n对所述第二晶圆进行减薄,直至暴露出所述第一凹槽,以使所述第二晶圆成为多个封装晶圆,每个所述封装晶圆与一个所述芯片单元对应;/n在所述第一晶圆上执行后续工艺,以形成单颗芯片封装结构。/n
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