[发明专利]肖特基二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201910967981.X | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110676308B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 王元刚;冯志红;吕元杰;周幸叶;谭鑫;韩婷婷;梁士雄 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管的制备方法。该方法包括：在衬底上外延第一n型氧化镓层；在所述第一n型氧化镓层上制备再生长掩膜层；其中，所述再生长掩膜层位于待制备的凹槽结构所对应的区域；制备再生长掩膜层后，外延第二n型氧化镓层；其中，所述再生长掩膜层的厚度与所述第二n型氧化镓层的厚度满足预设条件；通过湿法腐蚀将所述再生长掩膜层和所述再生长掩膜层上方的所述第二n型氧化镓层去除，形成凹槽结构；在形成凹槽结构后，淀积绝缘介质层；将与所述凹槽结构对应区域以外的绝缘介质层去除；生长阳极和阴极。上述方法可以避免制备凹槽终端结构时的刻蚀损伤，可精准控制凹槽深度。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：/n在衬底上外延第一n型氧化镓层；/n在所述第一n型氧化镓层上制备再生长掩膜层；其中，所述再生长掩膜层位于待制备的凹槽结构所对应的区域；/n制备再生长掩膜层后，外延第二n型氧化镓层；其中，所述再生长掩膜层的厚度与所述第二n型氧化镓层的厚度满足预设条件；/n通过湿法腐蚀将所述再生长掩膜层和所述再生长掩膜层上方的所述第二n型氧化镓层去除，形成凹槽结构；/n在形成凹槽结构后，淀积绝缘介质层；/n将与所述凹槽结构对应区域以外的绝缘介质层去除；/n制备正面阳极金属；/n制备背面阴极金属。/n
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