[发明专利]沟槽型场效应晶体管结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910968289.9 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN112652652A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 姚鑫;余强;焦伟;桑雨果 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 401331 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽型场效应晶体管结构及其制备方法，制备方法包括：提供衬底，形成外延层；形成若干个器件沟槽，于器件沟槽的内壁形成第一屏蔽介质层及第一屏蔽栅层，第一屏蔽介质层的上表面低于第一屏蔽栅层的上表面，形成第二屏蔽介质层及第二屏蔽栅层；形成第三屏蔽介质层，形成栅介质层及栅极层；形成体区，源极；以上金属结构和下金属结构。本发明基于第一屏蔽栅层及第二屏蔽栅层的设置，可以提高漂移区(外延层)的掺杂浓度，并优化了器件沟槽表面纵向电场分布，可以解决现有技术中器件击穿时沟槽表面纵向电场呈两个峰值的悬挂式分布，电场峰值之间电场下降严重问题，从而进一步改善了器件击穿电压和特征导通电阻的矛盾关系。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 场效应 晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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