[发明专利]一种高可靠度的LED芯片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910968373.0 申请日: 2019-10-12
公开(公告)号: CN110707193A 公开(公告)日: 2020-01-17
发明(设计)人: 崔永进;庄家铭 申请(专利权)人: 佛山市国星半导体技术有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/20;H01L33/00
代理公司: 44202 广州三环专利商标代理有限公司 代理人: 胡枫;李素兰
地址: 528200 广东省佛山市南海区狮*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种高可靠度的LED芯片,其包括:衬底;设于所述衬底上的外延层,所述外延层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;设于所述第一半导体层上的第一电极;设于所述第二半导体层上的第二电极;和设于第二半导体层上的至少一根第一电流扩展线,所述第一电流扩展线与所述第二电极电连接;其中,所述第一电流扩展线通过多个设于所述外延层并贯穿至第一半导体的第一孔洞与所述第一半导体层形成电连接。本发明中的第一电流扩展线通过孔洞与第一半导体层连接,其可大幅度提升电流扩展均匀性,防止局部电流集中,导致局部过热,烧毁芯片,提升了LED芯片的可靠度。
搜索关键词: 半导体层 电流扩展 外延层 孔洞 第二电极 电连接 衬底 第一电极 高可靠度 局部电流 局部过热 发光层 均匀性 可靠度 半导体 烧毁 芯片 贯穿
【主权项】:
1.一种高可靠度的LED芯片,其特征在于,包括:/n衬底;/n设于所述衬底上的外延层,所述外延层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;/n设于所述第一半导体层上的第一电极;/n设于所述第二半导体层上的第二电极;和/n设于第二半导体层上的至少一根第一电流扩展线,所述第一电流扩展线与所述第一电极电连接;/n其中,所述第一电流扩展线通过多个设于所述外延层并贯穿至第一半导体的第一孔洞与所述第一半导体层形成电连接。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市国星半导体技术有限公司,未经佛山市国星半导体技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910968373.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top