[发明专利]一种负阻式GaN压力传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910969075.3 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110729394A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 张伟;汤乃云;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L41/113 | 分类号： | H01L41/113;H01L41/083;H01L41/18;H01L41/27 |
| 代理公司： | 11226 北京中知法苑知识产权代理有限公司 | 代理人： | 阎冬 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种负阻式GaN压力传感器及其制备方法，包括：1)Si衬底上依次生长GaN缓冲层和n型GaN层；2)n型GaN层上生长双势垒AlGaN/GaN/AlGaN量子阱；3)双势垒AlGaN/GaN/AlGaN量子阱上生长n型GaN层；4)选择性刻蚀外延层材料形成刻蚀台面和台阶；5)在台面和台阶上淀积钝化层；6)刻蚀钝化层形成电极孔，并淀积金属电极；7)选择性刻蚀Si衬底形成刻蚀凹槽。首先，本发明利用共振隧穿效应调控量子阱内载流子输运过程以及负阻效应；其次，本发明利用了AlGaN/GaN异质结具有的压电极化效应，通过外部压力改变极化电场，从而使得量子阱内的能级发生改变，达到控制量子阱中载流子的隧穿效率，使得输出电流快速下降，即在外界压力情况下出现负阻效应，从而表现出极高的响应灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 量子阱 选择性刻蚀 负阻效应 双势垒 衬底 生长 载流子 共振隧穿效应 能级 刻蚀钝化层 外延层材料 响应灵敏度 压力传感器 载流子输运 淀积金属 极化电场 刻蚀凹槽 刻蚀台面 输出电流 外部压力 外界压力 压电极化 电极 台面 电极孔 钝化层 异质结 淀积 负阻 隧穿 制备 调控 表现 | ||
【主权项】：
1.一种负阻式GaN压力传感器及其制备方法，其特征在于：包括/n1)Si衬底上依次生长GaN缓冲层和n型GaN层；/n2)n型GaN层上生长双势垒AlGaN/GaN/AlGaN量子阱；/n3)双势垒AlGaN/GaN/AlGaN量子阱上生长n型GaN层，形成共振隧穿二极管；/n4)选择性刻蚀外延层材料形成刻蚀台面和台阶；/n5)在台面和台阶上淀积钝化层；/n6)刻蚀钝化层形成电极孔，并淀积金属电极；/n7)选择性刻蚀Si衬底形成刻蚀凹槽。/n
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