[发明专利]一种超高速快门半导体影像传感器有效
| 申请号： | 201910969649.7 | 申请日： | 2016-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110634902B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张帆;牛憨笨 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 广东恩典律师事务所 44549 | 代理人： | 张绍波 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体影像传感器，其像素单元电路包括光电二极管、信号存储电容、曝光开始控制晶体管、曝光结束控制晶体管、复位晶体管、读出缓冲晶体管与读出选择晶体管；信号存储电容的一端连接光电二极管的正极或负极、曝光开始控制晶体管的漏极、复位晶体管的漏极或源极，另一端连接曝光结束控制晶体管的漏极以及读出缓冲晶体管的栅极。在本发明中，结合采用遮光层及环状遮光结构对晶体管，尤其是曝光结束控制晶体管进行充分遮光，在使用0.5微米CMOS混合信号工艺实施本发明时，其最短快门选通时间仅75皮秒，对405纳米可见光的残留感光低至八千万分之一，具有超高速快门和低残留感光的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高速 快门 半导体 影像 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体影像传感器，其特征在于：其像素单元电路包括光电二极管(D1)、信号存储电容(C1)、曝光开始控制晶体管(M1)、曝光结束控制晶体管(M2)、复位晶体管(M3)、读出缓冲晶体管(M4)与读出选择晶体管(M5)；所述信号存储电容(C1)的一端连接光电二极管(D1)的正极或负极、曝光开始控制晶体管(M1)的漏极、复位晶体管(M3)的漏极或源极，另一端连接曝光结束控制晶体管(M2)的漏极以及读出缓冲晶体管(M4)的栅极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
