[发明专利]三维存储器结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种三维存储器结构及其制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底；于半导体衬底上形成叠层结构，于叠层结构中形成沟道孔及栅极隔槽，栅极隔槽包括N个上下连通设置的子栅极隔槽，N为大于等于2的整数。本发明将三维存储器的栅极隔槽制备成包括至少两个子栅极隔槽上下连通设置的结构，多个所述子栅极隔槽的设置，使得单个子栅极隔槽的制备易于控制，可以减小其关键尺寸，进一步增加沟道孔与栅极隔槽之间的距离，可以增加后续栅极层的长度，减小栅极层的电阻，提高器件速度，优化器件性能。在栅极隔槽中制备栅极隔槽腔，从而可以缓解材料层带来的应力，缓解整个器件结构的应力，并可以减小器件电阻，提高器件性能。