[发明专利]一种带有多数载流子二极管的碳化硅MOS器件

摘要

本发明提供一种带有多数载流子二极管的碳化硅MOS器件。当MOS器件关断时，本发明通过引入多数载流子二极管和PN结二极管并联，同时利用多数载流子二极管其开启电压低、单极性电流导电的特点和PN结二极管导通电流大、耐压高的特点，在降低了器件在反向续流时的导通损耗的同时提高了反向续流能力和击穿电压，降低了反向恢复电荷并提高了碳化硅MOS器件的可靠性和集成性。当碳化硅MOS器件导通时，为了减低导通电阻从而降低MOS管的导通损耗，本发明在有源区中加入电流加强注入区，减小由于外延掺杂浓度过低而导致的JFET电阻过大的问题。

主权项

1.一种带有多数载流子二极管的碳化硅MOS器件，其特征在于，包括：/n碳化硅衬底，该衬底材料的掺杂类型为第一导电类型；/n在碳化硅衬底的正面和背面依次设有第一导电类型半导体漂移区和第一电极；/n漂移区的顶层在有源区设有第一导电类型电流加强注入区；/n电流加强注入区上方设有栅电极，电流加强注入区和栅电极之间设有栅介质层；/n在栅电极两侧的电流加强注入区内部顶层设有与栅介质层相连的第二导电类型基区，基区内部设有与栅介质层相连的第一导电类型半导体重掺杂源区，基区内部顶层设有第二导电类型半导体重参杂体区；/n在所述电流加强注入区存在第二导电类型结势垒注入区，与第二电极接触后形成多数载流子二极管和PN结二极管，与MOS器件并联；/n源区和体区与第二电极接触并形成欧姆接触；/n第二电极与栅电极之间有极间介质层隔离。/n