[发明专利]薄膜堆叠结构、三维存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910971659.4 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN110797255B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 温志杰;魏伯州 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体设计及制造领域，特别是涉及一种薄膜堆叠结构、三维存储器及其制备方法，薄膜堆叠结构的制备方法包括：形成氧化硅层的步骤；形成氮化硅层的步骤；以及形成氢氮氧化硅缓冲层的步骤，其中，所述氢氮氧化硅缓冲层形成于所述氧化硅层与所述氮化硅层之间。本发明在氧化硅层及氮化硅层之间插入氢氮氧化硅缓冲层，降低了氧化硅层及氮化硅层间的应力梯度，从而最大限度地减小层间应力差引起的剪应力，提高氧化硅层及氮化硅层的结合强度，防止氧化硅层及氮化硅层间由于应力不平衡引起的开裂风险。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 堆叠 结构 三维 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜堆叠结构，其特征在于，所述薄膜堆叠结构包括：/n氧化硅层；/n氮化硅层；以及/n氢氮氧化硅缓冲层，所述氢氮氧化硅缓冲层位于所述氧化硅层与所述氮化硅层之间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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