[发明专利]具有双势垒层的磁性隧道结结构及磁性随机存储器有效
| 申请号： | 201910972497.6 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112736192B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 张云森;郭一民;陈峻;麻榆阳;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/85 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种具有双势垒层的磁性隧道结结构及磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括设置于自由层上下两侧的双势垒层及延伸的对称结构。本申请通过双势垒层的设计有利于提升自由层的翻转的临界电流，通过双势垒层设计在不增幅总体电阻面积积的同时保持稳定且足够的隧穿磁阻率，非常有利于MRAM电路读/写性能的提升与超小型MRAM电路的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双势垒层 磁性 隧道 结构 随机 存储器 | ||
【主权项】：
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