[发明专利]磁性隧道结结构及其磁性随机存储器在审
| 申请号： | 201910972521.6 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112736193A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 张云森;郭一民;陈峻;麻榆阳;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种磁性隧道结结构及其磁性存储器，所述磁性隧道结结构包括含掺杂导电材料的镁金属氧化物层形成的势垒层。本申请通过势垒层的掺杂或更进一步的复合设计，在不降低其的厚度的条件下，降低了电阻面积积的同时保持稳定且足够的隧穿磁阻率，非常有利于MRAM电路读/写性能的提升与制作超小型MRAM电路的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 结构 及其 随机 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海磁宇信息科技有限公司，未经上海磁宇信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910972521.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
