[发明专利]半导体结构及其形成方法和人工智能芯片及其形成方法有效
| 申请号： | 201910973559.5 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN110707115B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 余兴;蒋维楠 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法和人工智能芯片及其形成方法，所述半导体结构包括：第一基底，所述第一基底具有非感应面，所述第一基底包括图像传感区和微机电系统区，所述图像传感区内具有图像传感器，所述微机电系统区内具有微机电系统器件；与所述第一基底键合的第二基底，所述非感应面朝向所述第二基底，所述第二基底包括存储区，所述存储区在所述第一基底表面具有第一投影，所述图像传感区在所述第一基底表面的投影在所述第一投影的范围内，且所述微机电系统区在所述第一基底表面的投影在所述第一投影的范围内。所述半导体结构能够增加单个芯片功能、减少芯片的占用面积、提高芯片的集成度并且降低芯片的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 人工智能 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n第一基底，所述第一基底具有非感应面，所述第一基底包括图像传感区和微机电系统区，所述图像传感区内具有图像传感器，所述微机电系统区内具有微机电系统器件；/n与所述第一基底键合的第二基底，所述非感应面朝向所述第二基底，所述第二基底包括存储区，所述存储区在所述第一基底表面具有第一投影，所述图像传感区在所述第一基底表面的投影在所述第一投影的范围内，且所述微机电系统区在所述第一基底表面的投影在所述第一投影的范围内，所述存储区内具有存储电路，所述图像传感器的电路与所述存储电路耦合，且所述微机电系统器件的电路与所述存储电路耦合。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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