[发明专利]用于艰苦装置条件的动态存储器编程电压阶跃在审
| 申请号： | 201910973704.X | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN111354402A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | V·雷纳 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10;G11C16/30;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于艰苦装置条件的动态存储器编程电压阶跃。存储器装置可动态地选择用于编程(即，充电)存储器单元的电压阶跃大小。所述存储器装置可增加所述电压阶跃大小以减少编程时间或减小所述电压阶跃大小以减少错误。所述存储器装置可识别装置条件，例如温度或使用量(例如，编程/擦除循环的计数)。所述存储器装置可在所述装置条件较不可能导致错误(例如，在中间温度范围中或低于阈值数目个编程/擦除循环)时增加所述电压阶跃大小，或可在所述装置条件更有可能导致错误(例如，在高或低温度范围中或高于阈值数目个编程/擦除循环)时减小所述电压阶跃大小。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 艰苦 装置 条件 动态 存储器 编程 电压 阶跃 | ||
【主权项】：
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