[发明专利]基于直流偏置磁场的最优直流偏置磁场值的确定方法有效
| 申请号： | 201910973869.7 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN110749847B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 何金良;胡军;韩志飞;薛芬;张波;余占清;曾嵘;李琦;庄池杰 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01R33/12 | 分类号： | G01R33/12 |
| 代理公司： | 天津市尚仪知识产权代理事务所(普通合伙) 12217 | 代理人： | 王山 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
一种基于直流偏置磁场的最优直流偏置磁场值的确定方法，其步骤依次为：利用能量最小原理确定材料在直流偏置磁场中稳定状态下的磁化情况、建立单畴物理模型、采用数值计算的方法确定材料在直流偏置磁场下的稳定状态、确定器件灵敏度达到最优的直流偏置磁场大小。其有益效果是：对于不同类型材料，材料的各向异性常数K以及M |
||
| 搜索关键词： | 基于 直流 偏置 磁场 最优 确定 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于直流偏置磁场的最优直流偏置磁场值的确定方法，其特征在于，其步骤依次为：确定材料在直流偏置磁场中稳定状态下的磁化情况、建立单畴物理模型、确定材料在直流偏置磁场下的稳定状态、确定器件灵敏度达到最优的直流偏置磁场大小，具体的确定方法为：/n单抽物理模型公式为：/nE＝E
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910973869.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
