[发明专利]半导体超表面电磁波吸收器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910974243.8 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN110703371B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 刘晓山;钟浩宗;付国兰;刘桂强;刘正奇 | 申请（专利权）人： | 江西师范大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 南昌华成联合知识产权代理事务所(普通合伙) 36126 | 代理人： | 张建新 |
| 地址： | 330000 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体超表面电磁波吸收器及其制备方法。该半导体超表面电磁波吸收器包括基底层、非金属介质层和超材料结构层，非金属介质层连接于基底层上表面，超材料结构层连接于非金属介质层上表面；其中，超表面结构层由若干单元结构周期性排列组成，每个单元结构包含两个互相平行的长方体。本发明通过合理设计改变超表面的结构参数和入射光的偏振角度，可以定量化的调控其工作频率和工作效率；实现了工作频率与工作效率的双重可定量化调控，拓展了此类吸收器在光电检测、光电转换以及电磁能量吸收等领域的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 电磁波 吸收 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体超表面电磁波吸收器，其特征在于：包括基底层、非金属介质层和超材料结构层，非金属介质层连接于基底层上表面，超材料结构层连接于非金属介质层上表面；其中，超表面结构层由若干单元结构周期性排列组成，每个单元结构包含两个互相平行的长方体。/n
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